Победители

Секция № 1

Новые материалы, технологии и устройства.
Приборостроение и робототехника.


премии
ФИО Организация, ВУЗ, город Название доклада
1 Петровская Кристина Владиславовна АО «Композит», МГТУ им. Н.Э. Баумана. г. Королёв Определение влияния метода формирования углеродной матрицы на пористую структуру УУКМ для дальнейшего силицирования
1 Карпович Елена Анатольевна ПАО «Яковлев», Москва Аэродинамическая оптимизация планера беспилотного конвертоплана
2 Федоров Святослав СергеевичКудинов Александр Андреевич ОАО «МЗ «Арсенал»,г. Санкт-Петербург Разработка сервисного космического аппарата для очистки околоземных орбит от космического мусора
2 Слесарева Ангелина Артуровна АО «Уфимское приборострои-тельное произ-водственное объединение», г. Уфа Опыт создания универсального электронного силового модуля мощностью 30 кВт для электрозарядных станций
Поощрительные премии
Загуменнов Николай Владимирович АО «Редуктор -ПМ»,г. Пермь Концепция термометрирования деталей редукторов авиационного назначения в рамках исследования работоспособности редукторов в условиях отказа системы смазки
Деметрашвили ИринаСергеевна АО «ОДК», Москва Разработка и обобщение совокупности новых технических решений процесса производства тонколистовых плоских металлических изделий с покрытием

Секция № 2

Автоматизированные системы управления,
проектирования и производства.
Цифровые двойники.

пре-мии  ФИО Организация Название доклада
1 Паневина Анна Вячеславовна ФАУ «ГосНИИАС», Москва Применение технологии цифровых двойников бортовой системы контроля и регистрации полетной информации для разработки и отработки алгоритмического и программного обеспечения
2 Ковалев Григорий Михайлович АО «Корпорация «МИТ», Москва Цифровой двойник функционирования камеры сгорания многорежимного ракетного твердотопливного двигателя

Секция № 4

Трансфер технологий и импортонезависимость.

Менеджмент и экономика инноваций.

пре-мии  ФИО Организация Название доклада
1 Дубинина Кристина Сергеевна АО «Сатурн», г. Краснодар О результатах применения отечественных германиевых подложек при изготовлении трехкаскадных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge